氮化硅（Si3N4）反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀是由化学和物理相结合的方法，在真空中利用气体等离子进行刻蚀，通常采用氟基气体作为反应气体对氮化硅薄膜进行反应离子刻蚀，反应生成挥发性气体被真空系统抽离，实现刻蚀的目的。

Nov. 12, 2024

等离子清洗在航空电子产品PCB三防涂覆前的应用 等离子清洗可以有效增大PCB板界面参数中的表面张力,即等离子清洗可以有效改善其表面张力,实现清洁、活化PCB板的表面,从而有效地提升三防漆在PCB板表面的润湿能力。

Nov. 11, 2024

树脂镜片镀膜前等离子清洗作用 在树脂镜片镀膜前对基底表面采用等离子清洗能够去除基底表面的污染层,活化基底表面分子并造成原子量级的凹凸不平,从而增加薄膜的附着力，改善成膜质量。

Nov. 08, 2024

硅橡胶等离子体处理对其亲水粘接性能的影响 硅橡胶它的分子结构极性很低,材料的表面活性也很低,与很多的材料在不经任何处理的情况下,都很难做到粘结，通过等离子体处理可以使使硅橡胶表面引入极性硅醇(Si-OH)基团提高亲水性，从而改善硅橡胶表面的粘接性。

Nov. 06, 2024

二氧化硅反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀SiO2的反应气体主要为含氟基或氯基气体;前者如CF4、CHF3、SF6、NF3等,后者如BCl3、Cl2等。反应离子刻蚀SiO2时,在辉光放电中分解出的氟原子或氯原子,与SiO2表面原子反应生成气态产物,达到刻蚀的目的。

Nov. 06, 2024

硅（si）的rie反应离子刻蚀原理 反应离子刻蚀硅通常使用带氟或者带氯的活性基团的气体,如SF6、CHF3、CF4等，刻蚀气体在高频电场的作用下,使气体辉光放电产生等离子体,对被刻蚀物进行离子轰击和化学反应，生成SiF4的挥发性气体,从而实现对硅的反应离子刻蚀。

Nov. 05, 2024