低温等离子体产生的产物包括大量的活性粒子，这些活性粒子的种类比一般化学反应产生的粒子活性更强且类型更多，使得低温等离子体与材料表面接触时更加快捷。同时它还具有低成本、无污染、不会损伤材料基质等优点，因此可以通过低温等离子体对材料进行表面改性，这是低温等离子体最广泛的用途之一，具体包括等离子体表面刻蚀、等离子体表面清洗等。

等离子体刻蚀

等离子体表面刻蚀的原理是将曝光后的掩膜放在基体表面，腔室通电后，气体发生电离等连环反应，等离子体中的高能离子轰击材料表面进行刻蚀。根据蚀刻技术的不同，等离子体蚀刻技术可以分为三类：纯物理性质的冲 击蚀刻、纯物理化学反应的冲击蚀刻和物理化学反应的冲击蚀刻。等离子体刻蚀不仅具有选择性，即在刻蚀过程中能够去除材料表面的材料而不会影响刻蚀沟槽侧壁的材料；还具有各向异性，即活性粒子在等离子体电场的影响下具有方向性，能够沿着刻蚀沟槽的深度方向继续刻蚀。通常情况下，刻蚀的材料不同，选择的刻蚀气体也不同，比如，SiCl₄/Cl₂混合气体可用于刻蚀单晶硅；CF₄/H₂混合气体可用于刻蚀SiO₂；CF₄/O₂或SF₆/O₂混合气体可用于刻蚀Si₃N₄。当刻蚀气体为CF₄/O₂的时候，C原子会和O₂分子反应生成CO₂，消耗了大量的C原子，F的密度增加，从而提高了刻蚀速率。

等离子体清洗

等离子体清洗是通过等离子体中离子、电子、原子、活性基团等活性组分的性质来处理样品表面，使材料表面的污染物被分解成易挥发的小分子物质，在使工件表面活性增强的同时达到清洁材料表面的目的。被去除的污染物包括光刻胶、有机物、氧化物、微颗粒污染物等，一般来说，处理的污染物不同，采用的清洗工艺也不同。等离子体清洗具有效率高、成本小等优点，被广泛地应用于电子工业、太阳能光伏产业、半导体光电行业等领域。如，在切片等工序中采用等离子体清洗能够有效地去除太阳能硅片表面的污渍和多余杂质。材料通过等离子体清洗，能够延长模具的使用寿命，对于纤维材料还能增强它的表面附着力。

等离子体刻蚀与等离子体清洗的联系与区别

低压等离子体清洗与等离子体刻蚀工艺相似，都是利用等离子体产生的活性粒子，与材料表面发生反应从而去除材料表面的物质。但对于等离子体清洗技术所需求的离子能量相比于等离子刻蚀工艺低，刻蚀工艺去除的材料是固体材料（如硅基材料等），其利用具有离子轰击协同作用的化学反应，有效的利用荷能离子来增强刻蚀反应速率，称为反应离子刻蚀。等离子体清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。等离子体刻蚀是一种反应性等离子体工艺。