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等离子物理刻蚀化学刻蚀与反应离子刻蚀-Plasma etching

Apr. 24, 2024

自然界中物质存在的形态主要有气态、固态、液态以及等离子态,其中等离子态是物质存在的一种最普遍形态。在我们所处的世界中,经常看到的流星、闪电以及点亮的荧光灯,它们其实都是物质的等离子态。等离子态一般也被称作“超气态”,与气体有诸多相似之处,都具有流动性而没有确定形状和体积。等离子体与普通气体对外都呈电中性,但普通气体是由呈电中性的分子或原子组成,而等离子体则是由中性粒子(分子、原子、激发态粒子)与带电粒子(正离子、负离子、电子)构成。

等离子刻蚀(plasma etching),就是利用等离子体中各种电子、离子、游离基等活性粒子与被蚀刻材料发生物理或化学作用,生成挥发性的刻蚀产物,达到刻蚀材料的目的。按照刻蚀过程中发生的反应类型,可将等离子刻蚀原理划分为三类:物理刻蚀、化学刻蚀、反应离子刻蚀。

(1)物理溅射刻蚀:

利用具有很高动能的离子(常见的如Ar+)撞击基体材料表面,使材料表面原子脱落,而不与基体表面发生任何化学反应。该类型理论上可以刻蚀任何材料,但由于离子溅射是纯物理过程所需能量巨大,刻蚀效果较差,且不具备选择性。

(2)化学刻蚀:

利用等离子体中的各种活性例子与基体材料发生化学反应,然后生成易挥发性物质被带离基体表面,完成刻蚀目的,化学刻蚀可以选择性地去除特定材料。这种类型刻蚀速率较高、具有很好的各向同性,但各向异性较差。

(3)反应离子刻蚀(RIE):

在刻蚀过程中既有物理溅射又有化学反应,二者相辅相成,化学反应形成的挥发性物质被溅射更易脱离基体表面。反应离子刻蚀兼顾了二者的优点,刻蚀速率高,既有化学刻蚀的选择性又有物理刻蚀的方向性,其方向性来自活性气体离子在强电场中的运动方向唯一且垂直于样品表面,而其选择性则来自于化学反应的特异性,比单纯地使用溅射刻蚀或者纯化学刻蚀效果要好,应用较广。

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