低压等离子体清洗与等离子体刻蚀工艺相似,都是利用等离子体产生的活性粒子,与材料表面发生反应从而去除材料表面的物质。但对于等离子清洗技术所需求的离子能量相比于等离子刻蚀工艺低,等离子刻蚀工艺去除的材料是固体材料(如硅基材料等),其利用具有离子轰击协同作用的化学反应,有效的利用荷能离子来增强刻蚀反应速率,称为反应离子刻蚀。然而等离子清洗工艺需要控制离子轰击的作用,防止离子轰击能量过大破坏材料表面。

等离子清洗与等离子刻蚀的区别

下面通过对下图1等离子清洗原理图，与下图2等离子刻蚀原理图进行讲解，来帮助更好的理解等离子清洗与等离子刻蚀的区别。

图1等离子清洗原理

图2 等离子刻蚀原理

从图1可以看出，等离子清洗主要是用来去除材料表面多余的污染物，而不对材料本身产生影响。通过等离子清洗，材料表面吸附的脏污得到了有效去除。

从图2可以看出，等离子刻蚀主要是为了去除基体材料从而获得所需形状。等离子体刻蚀法的原理是通过反应性等离子体气体从基材表面选择性去除材料，因而是一种选择性刻蚀。

等离子清洗与等离子刻蚀工艺的主要区别如下：

目的

等离子清洗：主要目的是去除物体表面的污染物，如有机物、氧化物、油污、颗粒等，以提高表面的清洁度和活性，为后续的粘接、焊接、涂覆、光刻等工艺提供良好的表面条件。例如，在电子元器件制造中，清洗芯片表面的杂质，确保芯片封装时的良好连接。

等离子刻蚀：用于选择性去除材料，以形成特定图案或结构。在半导体制造、微机电系统（MEMS）制造等领域，用于在晶圆或其他材料上刻蚀出复杂的电路图案、微通道、微结构等。比如制造集成电路时，在硅片上刻蚀出晶体管、布线等结构。

对材料的影响

等离子清洗：仅影响表面几纳米，不改变材料整体性质。对材料表面的损伤较小，主要是去除表面的污染物，一般不会改变材料的本体结构和性能，只是改善表面的清洁度和活性。

等离子刻蚀：会显著改变材料表面形貌和结构。对材料的微观结构和性能可能产生较大影响，例如改变材料的表面形貌、粗糙度、电学性能等，在刻蚀过程中需要精确控制工艺参数，以确保刻蚀的精度和对材料性能的影响在设计要求范围内。

气体选择

等离子清洗：常用氧气、氩气、氢气等，主要起清洁和改性作用。

等离子刻蚀：使用氟基、氯基等气体，针对不同材料进行刻蚀。

以上就是关于等离子清洗和等离子刻蚀区别的主要介绍，等离子清洗可等离子刻蚀都是低温等离子体技术在材料表面处理方面的应用。其最主要的区别就是，一个是去除材料本身不需要的部分，一个是去除材料表面附着的污染部分。