NE-RIE01是一款反应离子刻蚀机，主要用于半导体器件微细加工技术的干法腐蚀工艺。该设备带有淋浴头气流分布系统和水冷电极样品台，高真空刻蚀腔体，腔室可加热，腔体的极限真空可达到0.0035pa或更低，整机设计严谨，结构集中，操作简单直观，工艺重复性好。设备采用RIE等离子体刻蚀模式，具有刻蚀速率快、均匀性好、选择比高、不错的各向异性等优势。

反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)包含物理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用,刻蚀时,反应室中的气体辉光放电,产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体,可扩散并吸附到被刻蚀样品表面与表面的原子发生化学反应,形成挥发性物质,达到刻蚀样品表层的目的。同时,高能离子在一定的工作压力下,射向样品表面,进行物理轰击和刻蚀,去除再沉积的反应产物或聚合物。化学反应产生的挥发性物质与物理轰击的副产物均通过真空系统被抽走。

设备用途：1、蚀刻各种材料，如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Mo、Pt、聚酰亚胺等；2、光刻胶灰化、亲疏水改性、表面能提升、官能团引入、生物相容性改善等；