NE-RE08是一款干法等离子去胶设备，适用于4/6/8英寸晶圆光刻胶去除和灰化工艺。设备采用高密度RIE等离子体刻蚀系统，具有去胶速率快、均匀性好、选择比高、不错的各向异性等性能优势。

产品特点：1、设备采用RIE反应离子刻蚀模式，去胶速率快。2、全面积工艺气体入口喷淋头，径向（轴对称）抽气结构，确保能提升工艺均匀性和速率。3、水冷电极冷却系统实现衬底温度控制。4、直开式设计方便快速装卸圆。

主要用途：1、用于8寸及以下的晶圆（SOI、SI、玻璃、铜片等其他半导体材料）正性及负性光刻胶去胶。2、聚酰亚胺光刻胶（PI）去胶。3、有机物去除。4、光刻工艺后，PR Descum 打底膜工艺

5、基片表面等离子活化（02\Ar）